

产品详情
主要用于中小规模集成电路和半导体元器件制造工艺中的对准及曝光。本产品操作方便、稳定性高、重复性好,并具有较高的性能价格比,可广泛应用于科研和生产。
主要技术特点
对准工作台
对准精度搞,漂移小,精密楔形误差补偿机构实现三点找平,找平力小,延长掩摸版使用寿命。
曝光系统
采用柱体蝇眼透镜和高能力集光的椭球反射镜等精密光学件,具有较高的光强、均匀性、光学分辨率。
分离视场显微镜
在X、Y方面进行大范围扫描观察,可进行单视场或双视场切换,提高对准效率和套准精度,同时兼容CCD成像显示功能。
控制系统
电气控制采用可编程序控制器(PLC)、LCD显示器,操作方便,汞灯电源易于触发,可靠性高。该设备的关键件采用进口或专业厂家制造,气动元件采用SMC产品,提高了设备的稳定性、可靠性,同时提供个性化服务
主要技术指标
切割晶圆尺寸 | ≤φ100mm | Diameter of Cutting Ingot | ≤φ100mm |
刀片规格 | φ422mm×Ф152mm×0.15mm | Blade Standard | φ422mm×Ф152mm×0.15mm |
切割晶棒长度 | 350mm | Max. Length of Cutting Ingot | 350mm |
切割进给速度 | 1~99mm/min | Feeding Speed | 1~99mm/min |
切割返回速度 | 1~999mm/min | Return Speed | 1~999mm/min |
送料进给步距偏差 | ±0.007mm | Feed Step Deviation | ±0.007mm |
片厚设定范围 | 0.01~40.00mm | Thickness Setting Range | 0.01~40.00mm |
水平晶向调节 | (X)±7°(分辨率2') | Adjustment of Horizontal Crystal Direction | (X)±7°(resolution:2') |
垂直晶向调节 | (Y)±7°(分辨率2') | Adjustment of Vertical Crystal Direction | (Y)±7°(resolution:2') |
功耗 | 2.5Kw,~380V±38V ,50HZ±1HZ | Power | 2.5Kw,~380V±38V ,50HZ±1HZ |
空气源 | 0.4~0.5MPa | Source of Air | 0.4~0.5MPa |
触摸屏 | 5.7英寸 | Touch Panel | 5.7inch |
外形尺寸 | 1100mm×660mm×2230mm | Outline Dimension | 1100mm×660mm×2230mm |
重量 | 1100kg | Weight | 1100kg |
φ422mm规格加深型刀盘配置方案,使刀厚设定范围可达58mm(QP-301T)。 | φ 422mm deepened blade plate makes the maximum setting range of cutter thickness reach 58mm (QP-301T). | ||
φ457mm规格刀盘配置方案,使切割晶棒直径可达φ105mm(QP-401)。 | φ 457mm blade plate can make the maximum diameter to φ 105mm (QP-401). |