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公司名称佛山市金欣盛真空设备有限公司
品牌
型号
所在地佛山市
厂商性质其他
更新时间2024/11/10 21:13:34
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产品详情

佛山市金欣盛真空设备有限公司是一家真空镀膜设备，真空镀膜机器制造、设计、应用的技术型厂家。公司位于环境优美的佛山市。

      佛山市金欣盛真空设备有限公司集研发、生产、销售为一体。具有优质的售后服务团队，公司目前拥有在职教授一名，参与过国产台多弧离子镀膜机、真空离子注入设备的设计与生产，曾经支持过国内外多家镀膜设备企业及生产企业的创办。高、中级以上专业技术职称人员多名，专门指导和负责公司真空镀膜机新产品研发与设计，设计概念，科技技术，确保真空设备产品高品质、高水准。
      本公司先后开发出的镀膜工艺，为镀膜生产企业的发展，提供了有力的技术支持，得到了广大客户高度赞誉。特别近几年来，随着真空镀膜技术的进步，公司重点发展连续式磁控镀膜生产线及离子镀膜技术，包括非平衡磁控、中频磁控溅射、多弧离子镀、离子源辅助镀膜和多种技术功能的结合，同时结合各大高校研究所，对新材料与镀膜工艺的不断摸索开发，设备设计与工艺精益求精，开发出新一代的工艺解决方案和真空镀膜设备，镀膜水平得到了极大的进步。
      本公司生产的真空镀膜设备系列：多弧离子镀膜设备，中频磁控真空镀膜设备，蒸发真空镀膜设备，电子枪镀膜设备，工具专用镀膜设备，黄金管专用镀膜机，连续式镀膜生产线等真空镀膜设备。各类真空电镀设备广泛用于光学、灯管、电子、陶瓷、玻璃、马赛克、建材、五金、刀具、工模具、钟表、医疗、汽车、航天等高科技产业方面，已成功地为客户开发满足各种不同要求的镀膜工艺方案。
      宁可不做设备，也不糊弄客户，本着及时专业、全面主动的经营理念，发挥技术、坚持创新的企业宗旨，用品质和服务回报客户。站在客户的角度思考问题，为客户节约每一点一滴，也是我公司制造绿色环保真空镀膜设备的目标，竭诚为您提供优质的真空镀膜设备。
办公环境
设备参数
以下数值仅供参考

性能型号		JXS-CSV-0606	JXS-CSV-1010	JXS-CSV-1312	JXS-CSV-1612	JXS-CSV-1812
镀膜室尺寸		Ф600×H600mm	Ф1000×H1000mm	Ф1300×H1200mm	Ф1600×H1200mm	Ф1800×H1200mm
用于行业		钟表行业、3C行业、五金行业、精密模具业、工具行业等
用于产品		手表、手机壳、介子、眼镜架、五金、洁具、餐具及刀具、模具等
镀膜效果		Tin、TiCN、CrN、TiALN、TiCrN、ZrN、TiNC及各类金属石膜（DLC）。
真空室结构		立式前开门结构配置抽气系统及水冷系统
真空获得系统	分子泵	≥2500（L/s）	≥2500（L/s）	≥3600（L/s）	≥7200（L/s）	≥10800（L/s）
	罗茨泵	≥150（L/s）	≥150（L/s）	≥1200（L/s）	≥1200（L/s）	≥1200（L/s）
	机械泵	≥70（L/s）	≥70（L/s）	≥210（L/s）	≥210（L/s）	≥210（L/s）
	维持泵	≥8（L/s）	≥15（L/s）	≥30（L/s）	≥30（L/s）	≥30（L/s）
	备注	可根据客户的要求进行配置
真空测量系统		薄膜规(MKS)、冷阴极(MKS)、皮拉尼(MKS)
电源类型		直流电源、中频电源、脉冲电源
极限真空指标		空载冷态 1.0一 6.0×10-4Pa
电弧源		≥4台	≥6台	≥8台	≥10台	≥12台
		≥200A	≥200A	≥200A	≥200A	≥200A
偏压电源		≥10KW	≥10KW	≥20KW	≥20KW	≥30KW
磁控电源		≥1	≥1	≥2	≥2	≥2
工件转动方式		多轴行星式公自转、变频调速（可控可调）
工件烘烤温度		常温-300℃至450℃-600℃可控可调（PID温控）
工艺气体		3路或4路工艺气体流量控制及显示系统选配自动加气系统
		氩气、氮气、氧气、乙炔等
冷却方式		水冷却循环方式，另配工业冷却水塔或工业冷水机（制冷机)或深冷系统。（客户提供）
控制方式		PLC+触摸屏操作或计算机控制，手动、半自动、自动方式、
供给指标		气压0.5-0.8MPa、水温≤25℃、水压≥0.2MPa、
报警及保护		对泵和靶等缺水、过流过压、断路等异常情况进行报警，并执行相应保护措施及电气联锁功能。
整机总功率		≤65KW	≤65KW	≤85KW	≤105KW	≤125KW
输出频率		电压380V±5% ，频率50Hz（可根据客户国家用电标准配置）
设备占地面积		≤55m2	≤55m2	≤55m2	≤55m2	≤55m2
备注		可根据用户要求设计制造非标设备，可加装磁控溅射靶、中频孪生对靶等。

设备制作流程
生产环境
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服务承诺
48小时-恢复的

荣誉证书

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应用领域

磁控溅射原理：电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，电离出大量的氩离子和电子，电子飞向基片。氩离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。二次电子在加速飞向基片的过程中受到磁场洛仑磁力的影响，被束缚在靠近靶面的等离子体区域内，该区域内等离子体密度很高，二次电子在磁场的作用下围绕靶面作圆周运动，该电子的运动路径很长，在运动过程中不断的与氩原子发生碰撞电离出大量的氩离子轰击靶材，经过多次碰撞后电子的能量逐渐降低，摆脱磁力线的束缚，远离靶材，最终沉积在基片上。磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径，改变电子的运动方向，提高工作气体的电离率和有效利用电子的能量。电子的归宿不仅仅是基片，真空室内壁及靶源阳极也是电子归宿。但一般基片与真空室及阳极在同一电势。磁场与电场的交互作用（ E X B drift）使单个电子轨迹呈三维螺旋状，而不是仅仅在靶面圆周运动。至于靶面圆周型的溅射轮廓，那是靶源磁场磁力线呈圆周形状形状。磁力线分布方向不同会对成膜有很大关系。在E X B shift机理下工作的不光磁控溅射，多弧镀靶源，离子源，等离子源等都在次原理下工作。所不同的是电场方向，电压电流大小而已。